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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0756965 (2001-01-08) |
공개번호 | US-0121914 (2002-09-05) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
The present invention provides a non-contact method for determining a quality of a semiconductor dielectric. The method includes depositing a charge on a dielectric to achieve a high voltage on the dielectric, measuring a voltage drop of the dielectric as a function of time, and determining soft bre
1. A non-contact method for determining a quality of a semiconductor dielectric, comprising:depositing a charge on a dielectric to achieve a high voltage on the dielectric; measuring a voltage drop of the dielectric as a function of time; and determining a soft breakdown from the voltage drop as a f
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