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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0542721 (2009-08-18) |
공개번호 | US-0042777 (2011-02-24) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A deep trench isolation structure including a deep trench disposed within a substrate to surround an active area on the substrate and a dielectric material filled within the deep trench. The deep trench comprises at least a corner in an arc shape layout or in a polygonal line shape layout. According
What is claimed is: 1. A deep trench isolation structure, comprising:a deep trench disposed within a substrate to surround an active area on the substrate, wherein the deep trench comprises at least a corner in an arc shape layout; anda dielectric material filled within the deep trench.
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