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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0146301 (2018-11-23) | |
공개번호 | 10-2019-0062241 (2019-06-05) | |
등록번호 | 10-2218563-0000 (2021-02-16) | |
우선권정보 | 미국(US) 15/822,701 (2017-11-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180146301 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 개시 내용은 다중 딥 트렌치 격리(MDTI) 구조체를 갖는 CMOS 이미지 센서 및 관련 형성 방법에 관한 것이다.일부 실시예에서, 복수의 픽셀 영역이 기판 내에 배치되고 각각 포토다이오드를 포함한다.경계 딥 트렌치 격리(BDTI) 구조체가 기판의 후면으로부터 기판 내의 제1 깊이로 연장되고 포토다이오드를 둘러싸도록 인접 픽셀 영역 사이에 배치된다.다중 딥 트렌치 격리(MDTI) 구조체가 개별 픽셀 영역 내에 배치되어 기판의 후면에서 기판 내의 제2 깊이까지 연장되고 포토다이오드 위에 위치한다.유전체 층이 BDTI 구조체의 BD
CMOS 이미지 센서로서:전면과 상기 전면에 반대측인 후면을 갖는 기판;상기 기판 상에 배치되고, 상기 후면으로부터 상기 기판에 입사되는 방사(radiation)를 전기 신호로 변환하도록 구성된 포토다이오드를 각각 포함하는 복수의 픽셀 영역;인접한 픽셀 영역들 사이에 배치되고, 상기 기판의 후면으로부터 상기 기판 내의 제1 깊이까지 연장되고, 상기 포토다이오드를 둘러싸는 경계 딥 트렌치 격리(boundary deep trench isolation; BDTI) 구조체;상기 복수의 픽셀 영역 내에 배치되고, 상기 기판의 후면으로부터 상
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