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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0913794 (2013-06-10) |
공개번호 | US-0330267 (2013-12-12) |
우선권정보 | JP-2012-132483 (2012-06-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
An ITO film having a band gap in a range of 4.0 eV to 4.5 eV.
1. An ITO film having a band gap in a range of 4.0 eV to 4.5 eV. 2. An ITO powder used in manufacture of the ITO film according to claim 1. 3. A manufacturing method of ITO powder comprising: forming a co-precipitated hydroxide of indium and tin by mixing an aqueous solution dissolving a trivalent i
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