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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16442933 (2019-06-17) |
공개번호 | 20190305109 (2019-10-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A silicon nitride cap on a gate stack is removed by etching with a fluorohydrocarbon-containing plasma subsequent to formation of source/drain regions without causing unacceptable damage to the gate stack or source/drain regions. A fluorohydrocarbon-containing polymer protection layer is selectively
1. A method comprising: obtaining a FET structure comprising a semiconductor substrate, a gate stack on the substrate, silicon nitride spacers adjoining the gate stack, source/drain regions operatively associated with the gate stack and having exposed top surfaces, and a silicon nitride cap on the g
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