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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16696513 (2019-11-26) |
공개번호 | 20210013043 (2021-01-14) |
우선권정보 | KR-10-2019-0082230 (2019-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
Provided is a plasma dicing method. The plasma dicing method includes: performing plasma etching on a first surface of a substrate exposed between a plurality of membrane structures; forming a passivation layer on a semiconductor wafer to cover the plurality of membrane structures and at least one t
1. A plasma dicing method comprising: providing a semiconductor wafer including a plurality of membrane structures arranged on a first surface of a substrate and spaced apart from each other;performing a first plasma etching process on the first surface of the substrate such that at least one trench
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