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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 17125345 (2020-12-17) |
공개번호 | 20210193473 (2021-06-24) |
우선권정보 | KR-10-2019-0171653 (2019-12-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
The present invention relates to an atomic layer etching method for etching a surface of a substrate by using an atomic layer etching apparatus. The present invention provides an atomic layer etching method by using an atomic layer etching apparatus including a process chamber having a sealed proces
1. An atomic layer etching method by using an atomic layer etching apparatus comprising: a process chamber having a sealed process space; a gas injection unit installed at an upper side in the process chamber to inject a gas into the process space: a substrate support installed at a lower side in th
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