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연합인증

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원자층 식각 방법 및 이를 포함하는 반도체 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/311
  • H01L-021/02
  • H01L-021/3213
  • H05H-001/46
출원번호 10-2016-0138587 (2016-10-24)
공개번호 10-2018-0045104 (2018-05-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160138587
발명자 / 주소
  • 우제헌 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 ** ***동 ***호 (신동,래미안영통마크원*단지)
  • 성덕용 / 서울특별시 동작구 여의대방로 ** **동 ****호 (신대방동,우성아파트)
  • 오세진 / 경기도 화성시 동탄공원로*길 *-** ***동 ***호 (반송동,우림필유타운하우스아파트)
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 고려
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 원자층 식각 방법을 제공하되, 이 방법은, 두 종류 이상의 원자들을 포함하는 막을 원자층 단위로 식각할 때 각 종류의 원자들을 식각하기 적합한 식각 가스들을 순차적으로 공급하여 각 종류의 원자들을 순차적으로 제거한다.

대표청구항

각각 서로 다른 제 1 원자들과 제 2 원자들이 존재하는 원자층들을 포함하는 막을 제공하고; 그리고각각의 원자층을 순차적으로 제거하는 것을 포함하되,각각의 원자층을 제거하는 것은:상기 제 1 원자들과 반응하는 제 1 식각 가스를 공급하여 상기 제 1 원자들에 흡착시키는 단계;상기 제 1 원자들에 흡착되지 않은 상기 제 1 식각 가스를 퍼지(purge)하는 단계;상기 제 1 식각 가스가 흡착된 상기 제 1 원자들을 제거하는 단계;상기 제 2 원자들과 반응하는 제 2 식각 가스를 공급하여 상기 제 2 원자들에 흡착시키는 단계;상기 제

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