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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0568215 (1975-04-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 0 |
A method of depositing a layer comprising SiO2 on a surface of a substrate at a rate which is temperature independent is disclosed. The method includes combining dichlorosilane (SiH2Cl2) with an oxidizing gas, such as O2, CO2, N2O, H2O, to form SiO2.
A method of depositing a glass layer comprising SiO2 on a surface of a substrate which comprises initially combining gaseous SiH2Cl2 with an oxidizing gas, selected from the group consisting of O2, CO2, N2O, H2O and mixtures thereof in a liquid phase free ambient at a temperature ranging from about
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