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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0676618 (1976-04-13) |
우선권정보 | DT-2518045 (1975-04-23); DT-2527927 (1975-06-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 1 |
An improved tubular oven adapted for use in diffusion processing of semiconductors whose interior walls are comprised of polycrystalline silicon and whose exterior walls are comprised of phosphorous doped silicon. Block electrical contacts are located at opposed ends of such tubular oven and are com
An oven comprising A. a tubular member having an interior layer comprised of polycrystalline silicon and an integral exterior layer comprised of phosphorous doped silicon having a specific resistance ranging from about 2 through 200 microohm centimeters, B. a pair of electrical contact means, each s
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