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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0880926 (1978-02-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 66 인용 특허 : 4 |
The cross-sectional profile which is produced upon development of a layer of alkali soluble resin-diazo ketone photoresist is modified by treating the layer with a solvent or solvent mixture which is different from but miscible with the solvent or solvent mixture used to form the resist layer. The t
A method of producing a positive resist image having a sidewall profile with reduced overcut, which consists essentially of the following steps in sequence: depositing on a substrate surface a layer comprising a mixture of an alkali soluble resin, a light sensitive sensitizer having diazo and keto g
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