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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2003-0094082 (2003-12-19) |
공개번호 | 10-2005-0063029 (2005-06-28) |
등록번호 | 10-0587066-0000 (2006-05-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030094082 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-12-19) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 수직경사면을 갖는 포토레지트패턴 형성방법을 개시한다. 개시된 발명은 후-노광베이크 공정반응로시스템에 추가적으로 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상부 접촉부인 상부전극에 접지를 가하고, 웨이퍼가 놓여지는 하부전극에는 라디오 주파수 파워를 구성하는 단계; 및 상기 하부전극에 교류파형인 라디오 주파수 파워를 인가한 상태에서 노광 베이크공정을 수행하여 강산의 확산방향을 수직으로 제한하는 단계를 포함하여 구성되며, 교류 파형을 인가하므로써 수평방향의 산 확산을 억제하고 수직방향으로 산을 확산시킬 수 있는 것이다.
후-노광베이크 공정반응로시스템에 추가적으로 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상부접촉부인 상부전극에 접지를 인가하고, 웨이퍼가 놓여지는 하부전극에는 라디오주파수 파워를 구성하는 단계; 및 상기 하부전극에 교류파형인 라디오 주파수 파워를 인가한 상태에서 노광공정을 수행하여 강산의 확산방향을 수직으로 제한하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 수직경사면을 갖는 포토레지스트패턴 형성방법.
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