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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0401318 (1982-07-23) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 1 |
A method of post-development cure of photoresists is described wherein the substrate carrying the developed photoresist is positioned within 6.0 cm of a flash lamp and flashed with visible light to effect a cure in 30 seconds or less.
In a method of forming optically delineated circuits comprising applying a photoresist to a substrate; exposing said photoresist to a photoexposure of a circuit pattern; developing said photoresist by washing away the unexposed portions; curing the remaining photoresist; and treating the exposed sub
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