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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0731819 (1985-05-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 23 |
BF3 based mixtures for selectively etching thin layers of silicon dioxide over silicon for use in the plasma etch process for integrated circuits manufacture is disclosed. In the process, when trace amounts of formaldehyde are added to the etch system the rate on oxide inceases markedly. The effect
A method of selectively etching silicon dioxide preferentially over silicon or polysilicon in an article containing a layer of silicon dioxide on an underlayer of silicon or polysilicon which comprises exposing said article to a plasma gas mixture discharge wherein the plasma comprises BF3 and forma
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