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NTIS 바로가기한국가스학회지 = Journal of the Korean institute of gas, v.15 no.3, 2011년, pp.74 - 78
이택홍 (호서대학교 화학공학과) , 김재영 (호서대학교 화학공학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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캐리어 또는 분위기 가스로 사용되는 것은? | 에칭 가스는 주로 Cl, F[1] 등 할로겐 원소를 포함하고 있어 보호 마스크가 없는 실리콘웨이퍼 표면을 선택적으로 에칭 함으로써 원하는 패턴의 회로를 제작할 수 있다. 캐리어 또는 분위기 가스로는 N2, Ar, H2, He, CO2 등 초고순도 순수 가스가 주로 사용되며, 이들 캐리어가스에 원하는 재료 가스를 혼합하여 도입하기도 한다. 분위기 가스로 사용될 때에는 산소, 수분, 탄화수소 등의 불순물은 반도체 소자에 치명적인 결함을 유발하므로 이들 불순물의 함유가 엄격하게 제한되어 높은 순도를 요한다. | |
NaBF4, KBF4 두 시료의 열분해 실험결과는 어떻게 나타났나? | NaBF4, KBF4 모두 600℃ 온도 이상에서 리트머스 시험지의 변화로 BF3가 생성한다는 것을 확인 할 수 있었으며 비교적 높은 온도인 1000℃ 이상의 온도에서 열분해가 확실하게 일어난다는 것을 확인할 수 있었다. NaBF4 열분해 시 같은 온도 조건에서 KBF4 에 비해 BF3 가스의 생산 수율이 높았다. | |
boron은 반도체 공정에서 어디에 쓰이는가? | BF3 가스의 원소기호 B, 원자번호 5인 boron은 주기율표 3족에 속하는 비금속원소로서, 환경 중 대기, 토양, 지하수 등에 분포되어 있으며 Ion Implant 공정에서 p-type doping을 위한 원료로 사용되고 있다. 또한, 금속 식각 및 Silicide 식각에서 수분과 플라즈마 chamber내의 오염을 방지하여 순도를 높이고, 식각의 정확도를 높이는 데까지 확대되어 사용되고 있다[3]. |
이상곤. "반도체가스의 방화관리" 한국화재소방학회 심포지움 및 세미나, pp. 37-51. (1994)
S. Jonas, W. S. Ptak, W. Sadowski, E. Walasek, and C. Paluszkiewicz, J. Electrochem. Soc., 142(7), 2357 (1995)
N. A. Sezgi, A. Ersoy, T. Dogu, and H. O. Ozbelge, "CVD of boron and dichloroborane formation in a hot-wire fiber growth reactor" Chemical Engineering and Processing, 40(6), pp.525-530. (2001)
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M. Juma, Z. Korenova, J. Markos, J. Annus and L. Jelemensky, "Pyrolysis and Combustion of Scrap Tire," Petroleum & Coal, 48(1), pp.15-26. (2006)
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United States Patent 2,109,340. (1938)
http://webbook.nist.gov/chemistry/
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