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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0369785 (1989-06-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 7 |
A voltage sharing circuit which allows use of low voltage semiconductor devices to obtain higher output voltages is made up of a series stack of the low voltage devices with diode limiters provided to bias the low voltage devices such that the maximum voltage across any one of the low voltage device
A voltage sharing circuit, comprising: a first active electronic device having at least first, second and third electrodes and having a predetermined voltage rating; a second active electronic device having at least first, second and third electrodes and having a predetermined voltage rating, said f
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