[특허]Semiconductor strain detector

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G01L-001/00
출원번호	US-0458538 (1989-12-28)
우선권정보	JP-0333863 (1988-12-28)
발명자 / 주소	Sugiyama Susumu (Nagoya JPX) Yamashita Shiro (Aichi JPX) Funabashi Hirofumi (Aichi JPX)
출원인 / 주소	Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho (Aichi JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 5

초록 ▼

In a semiconductor strain detector, the temperature characteristic of the output of a zero-point temperature compensating circuit is added to the zero-point temperature characteristic of the output of a bridge circuit composed of strain gauges, to perform a zero-point temperature compensation of the final output. Further, two kinds of diffusion resistors having different surface impurity densities are used in each amplifying circuit to perform a sensitivity-temperature compensation in which a temperature coefficient of sensitivity is considered up to the second-order term.

대표청구항 ▼

A semiconductor strain detector comprising: (a) a semiconductor substrate having a strain sensitive region; (b) a bridge circuit including strain gauges each disposed at least in part at said strain sensitive region, each said strain gauge having a resistance varying in response to the strain of said strain sensitive region; (c) a zero-point temperature compensating circuit for outputting a signal having a predetermined temperature characteristic; and (d) an operational amplifier circuit for summing the output of said bridge circuit and the output of said zero-point temperature compensating circuit; (e) said zero-point temperature compensating circuit including (i) a thermosensitive resistor having a resistance varying depending on the temperature, and (ii) constant current means for supplying to said thermosensitive resistor a constant current of a predetermined direction and a predetermined amount, whereby a zero-point temperature characteristic of said bridge circuit is cancelled by the temperature characteristic of the output of said zero-point temperature compensating circuit.

이 특허에 인용된 특허 (5)

Mallon Joseph R. (Franklin Lakes NJ) Kurtz Anthony D. (Englewood NJ), Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures.
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Keller Hans W. (Winterthur CHX) Von Ritter Michael (Winterthur CHX), Method for temperature compensation and measuring circuit therefor.
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Miyazaki Atsushi (Katsuta JPX) Kobayashi Ryoichi (Toukai JPX), Semiconductor pressure sensor.
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Yamada Kazuji (Hitachi Hitachi JPX) Nishihara Motohisa (Hitachi Katsuta JPX) Sato Hideo (Hitachi Hitachi JPX) Suzuki Seiko (Ibaraki Hitachi JPX) Kobayashi Ryoichi (Hitachi JPX), Semiconductor strain gauge.
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Sugiyama Susumu (Aichi JPX), Semiconductor transducer.
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Borzabadi,Hamid R.; Koglin,Dennis M.; Long,Stephen P.; Vas,Timothy A., Integrated pressure sensor and method of manufacture.
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Tanizawa, Yukihiko, Physical quantity detection device with error detection in power supply line thereto.
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Miller,Wojtek; Cupples,Kenneth Alan; Champion,James Robert, Pressure and temperature compensation algorithm for use with a piezo-resistive strain gauge type pressure sensor.
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Gregory, Otto J., Self-compensated ceramic strain gage for use at high temperatures.
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Liu, Bo, Semiconductor temperature sensor with high sensitivity.
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Kiess, Ronald J.; Little, Lewis Henry; Ellis, Marion E.; Butler, Jr., Raymond O., Spark plug mounted thick film strain gauge.
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Ohta, Hiroyuki; Shimazu, Hiromi; Tanno, Yohei, Strain measuring device.
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Kosh,William Stephen; Kaneko,Yoshikazu, System and method for pressure measurement.
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Lepine,David F.; Kaneko,Yoshikazu, System and method for pressure measurement.
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Lee, Chul-Sub; Kim, Young-Deok; Byeon, Eul-Chul; Lee, Yong Hun, Vertical pressure sensor.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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