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NTIS 바로가기마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.20 no.4, 2013년, pp.35 - 39
전지원 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과) , 권성찬 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과) , 박우태 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과)
A four point bending apparatus has been developed to measure semiconductor sensor piezoresistance inside a four inch probe station. The apparatus has a footprint of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4 point bending 기기란? | Fig. 1에서 보이듯이 4 point bending 기기는 안쪽의 지지대 2개 바깥쪽 지지대 2개로 구성되어 있으며, 안쪽이나 바깥쪽의 2개의 지지대를 z축 방향으로 움직여 시편에 응력을 가하는 기구이다. 우리는 4 inch-size의 probe station chuck에 올리기 위하여 가로 80 mm, 세로 84 mm이고 높이 109 mm인 4 point bending 기기를 만들었다. | |
소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하는 방법은? | 소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하기 위하여 시편에 응력을 가하면서 전기적 특성을 측정하여야 한다. 하지만 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 저항을 간편하게 측정하기 위해서는 probe station을 이용하여 측정하여야 한다. | |
소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정 시, 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 간편하게 측정하기 위해서 이용하는 것은? | 소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하기 위하여 시편에 응력을 가하면서 전기적 특성을 측정하여야 한다. 하지만 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 저항을 간편하게 측정하기 위해서는 probe station을 이용하여 측정하여야 한다. 시편에 응력을 가할 기구로서 4점 굽힘(4 point bending) 기기를 사용하였다. |
A.A. Barlian, W.-T. Park, J.R. Mallon, A.J. Rastegar Jr and B.L. Pruitt, "Review: semiconductor piezoresistance for microsystems", Proc. IEEE, 97 513 (2009).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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