[특허]Method of treating wafer surface

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C03C-015/00
출원번호	US-0518509 (1990-05-03)
우선권정보	JP-0113921 (1989-05-06)
발명자 / 주소	Tanaka Masato (Shiga JPX)
출원인 / 주소	Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. (JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for treating a main surface of a wafer on which a thin film having micro openings is formed with a treatment agent includes the steps of: making the thin film hydrophilic, supplying water to the surface of the thin film, and supplying the treatment agent in vapor phase to the thin film while spinning the wafer. The rendered hydrophilic thin film causes the water supplied to the surface of the thin film to form a water film having a uniform thickness on the inner surface of the openings as well as on the surface of the thin film. A vapor phase treatment agent supplied dissolves in the water film so as to treat the main surface of the wafer at the bottom of the openings. Even if the wafer is spun at high speed, the treatment agent permeates through the water film into the openings so as to uniformly and efficiently treat the main surface of the wafer.

대표청구항 ▼

A method for treating a main surface of a wafer having a hydrophobic thin film with micro openings therein, said method comprising the steps of: (a) rendering said hydrophobic thin film hydrophilic; (b) supplying pure water or pure water vapor to said thin film that has been rendered hydrophilic in a manner that is effective to form a film of water on said thin film and on interior surfaces of said micro openings; and (c) supplying hydrogen halogenide or vapor including the same to said thin film while spinning said wafer at a predetermined speed simultaneously with or after said pure water or pure water vapor supplying step, to thereby cause said hydrogen halogenide to diffuse into said water film, so as to uniformly etch said wafer including said interior surfaces of said micro openings.

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