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Process for plasma-chemical cleaning prior to PVD or PECVD coating 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B05D-003/06
출원번호 US-0786267 (1991-11-01)
우선권정보 DE-4034842 (1990-11-02)
발명자 / 주소
  • Foller Michael (Krefeld DEX) Thne Carl-Stefan (Schnaittach DEX)
출원인 / 주소
  • Thyssen Edelstalhwerke AG (Krefeld DEX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 0

초록

The invention provides a process for cleaning and subsequent coating of metal surfaces of substrates. The metal surfaces are cleaned with a microwave-excited plasma using oxygen and hydrogen, alternately, as a working gas. The cleaned metal surface is coated by physical vapor deposition (PVD) or pla

대표청구항

A process for cleaning and subsequent coating of metal surfaces comprising the steps of cleaning a metal surface of a substrate with a microwave-excited plasma using, alternately, oxygen and hydrogen as a working gas, with at least one alternation, and coating the cleaned metal surface by a physical

이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Rajagopalan,Nagarajan; Shek,Meiyee; Lee,Albert; Lakshmanan,Annamalai; Xia,Li Qun; Cui,Zhenjiang, Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials.
  2. Mak Alfred ; Lai Kevin ; Leung Cissy ; Ghanayem Steve G. ; Wendling Thomas,DEX ; Jian Ping, Gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride.
  3. Shero, Eric J.; Pomarede, Christophe, Incorporation of nitrogen into high k dielectric film.
  4. Shero, Eric J; Pomarede, Christophe, Incorporation of nitrogen into high k dielectric film.
  5. Shero,Eric J.; Pomarede,Christophe, Incorporation of nitrogen into high k dielectric film.
  6. Judy H. Huang ; Christopher Dennis Bencher ; Sudha Rathi ; Christopher S. Ngai ; Bok Hoen Kim, Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device.
  7. Adamec, Pavel; Li{hacek over (s)}ka, Ivo; Gluchman, Gennadij; Snabl, Milan, Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber.
  8. Sharan,Sujit; Sandhu,Gurtej S.; Blalock,Guy T., Method of forming a conductive contact.
  9. Mak Alfred ; Lai Kevin ; Leung Cissy ; Ghanayem Steve G. ; Wendling Thomas,DEX ; Jian Ping, Method of forming gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride.
  10. Huang, Judy H.; Bencher, Christopher Dennis; Rathi, Sudha; Ngai, Christopher S.; Kim, Bok Hoen, Plasma treatment for copper oxide reduction.
  11. Milligan, Robert B.; Li, Dong; Marcus, Steven, Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers.
  12. Milligan, Robert B.; Li, Doug; Marcus, Steven, Plasma-enhanced atomic layers deposition of conductive material over dielectric layers.
  13. Huang, Judy H.; Bencher, Christopher Dennis; Rathi, Sudha; Ngai, Christopher S.; Kim, Bok Hoen, Semiconductor device having reduced oxidation interface.
  14. Huang, Judy H.; Bencher, Christopher Dennis; Rathi, Sudha; Ngai, Christopher S.; Kim, Bok Hoen, Semiconductor device having silicon carbide and conductive pathway interface.
  15. Pomarede, Christophe F.; Roberts, Jeff; Shero, Eric J., Surface preparation prior to deposition.
  16. Pomarede, Christophe F.; Roberts, Jeff; Shero, Eric J., Surface preparation prior to deposition.
  17. Pomarede,Christophe F.; Roberts,Jeff; Shero,Eric J., Surface preparation prior to deposition.
  18. Pomarede,Christophe F.; Roberts,Jeff; Shero,Eric J., Surface preparation prior to deposition.
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