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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0955356 (1992-10-01) |
우선권정보 | JP-0253253 (1991-10-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 0 |
A process of fabricating an asymmetrical LDD-MOSFET of the type in which a diffused low-doped layer is provided only on the drain side is disclosed. In a MOSFET-formed region, after forming a gate electrode, using a photoresist film covering one sidewall of the gate electrode and the vicinity thereo
A method for fabricating an asymmetrical LDD-MOSFET, comprising: providing a semiconductor substrate; forming device isolation structures to define a MOSFET-formed region at a surface of the semi-conductor substrate; forming a gate insulating film on said surface at said MOSFET-formed region; select
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