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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0193678 (1994-02-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 69 인용 특허 : 0 |
The method of the present invention introduces a fabrication method for forming a storage capacitor on a supporting silicon substrate of a semiconductor device, by the steps of: forming a bottom capacitor electrode comprising conductively doped polysilicon; forming an insulating layer over the botto
A method for forming an reaction prevention barrier between a first conductive layer and a tantalum oxide layer on a supporting substrate of a semiconductor device, said method comprising the steps of: forming said tantalum oxide layer; forming a semiconductive layer over said tantalum oxide layer;
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