초록 ▼

반도체 소자의 집적도가 날로 증가함에 따라 기억소자의 정전용량을 증가시키기 위한 연구도 매우 중요하게 간주되고 있다. 구조적인 면에서 커패시터의 정전용량을 증가시키는 방법은 이미 한계에 도달하고 있으며 따라서 기존의 SiO2 보다 유전뺑瀏??이 Ta2O5 박막은 전기적특성을 개선하기 위해 열처리하는 경우에 산소의 투과에 의해 계면에 SiO2층을 형성하기 때문에 누설전류가 커지거나 혹은 유전상수가 저하되는 단점이 지적되어 왔다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제를 보완하기 위한 새로운 방안으?OCVD 방법으로 성장된 Ta2O5

반도체 소자의 집적도가 날로 증가함에 따라 기억소자의 정전용량을 증가시키기 위한 연구도 매우 중요하게 간주되고 있다. 구조적인 면에서 커패시터의 정전용량을 증가시키는 방법은 이미 한계에 도달하고 있으며 따라서 기존의 SiO2 보다 유전뺑瀏??이 Ta2O5 박막은 전기적특성을 개선하기 위해 열처리하는 경우에 산소의 투과에 의해 계면에 SiO2층을 형성하기 때문에 누설전류가 커지거나 혹은 유전상수가 저하되는 단점이 지적되어 왔다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제를 보완하기 위한 새로운 방안으?OCVD 방법으로 성장된 Ta2O5 박막은 비정질이었으며 700℃ 이상의 온도에서 열처리할 경우 hexagonal구조로 결정화하는 것을 관찰하였다. 성장반응의 활성화에너지는 6.33 kcal/mol이었으며 실험조건에서는 표면반응이 율속단계임을 확인하였다. 성장된 Ta2O5 박막?a2O5 박막 커패시터를 구성하여 전기적특성을 분석해본 결과 통상적인 Ta2O5/Si 구조의 경우 Ta2O5 박막이 결정화하기 전인 700℃ 이하에서 더 나은 누설전류 특성을 보였으며 결정화한 이후에는 누설전류가 커짐을 확인하였다. 그러나 Ta2O5/TiSi2/Si 커패시터의 경옥악藍岵?면으로 볼 때 새로운 하부전극물질로 사용된 TiSi2나 TiN 모두의 경우에 단순히 실리콘을 전극으로 사용한 경우와 비교하여 전기적특성에 있어서 개선되지 않은 것으로 판단된다.

목차 Contents

• 1. 서론 ... 6
• 2. 연구 및 실험방법 ... 8
• 3. 결과 및 고찰 ... 10
• 4. 참고문헌 ... 25