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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0125482 (1993-09-22) |
우선권정보 | JP-0254376 (1992-09-24); JP-0327090 (1992-12-08); JP-0017399 (1993-02-04); JP-0018790 (1993-02-05); JP-0162085 (1993-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 58 인용 특허 : 0 |
A plurality of single-crystalline diamond plates having principal surfaces consisting essentially of {100}planes are prepared. The diamond plates are so arranged that the respective principal surfaces are substantially flush with each other. In this arrangement, an angle formed by crystal orientatio
A method of epitaxially growing diamond, comprising: a) preparing a plurality of single-crystalline diamond plates having principal surfaces forming an angle of not more than 10°with a {100}plane, back surfaces opposite said principal surfaces, and side surfaces between said principal surfaces and s
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