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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0364609 (2009-02-03) |
등록번호 | US-7807126 (2010-10-26) |
우선권정보 | JP-2005-091061(2005-03-28); JP-2006-010596(2006-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
A method for manufacturing a diamond single crystal substrate, in which a single crystal is grown from a diamond single crystal serving as a seed substrate by vapor phase synthesis, said method comprising: preparing a diamond single crystal seed substrate which has a main surface whose planar orient
What is claimed is: 1. A diamond single crystal substrate manufactured by a method comprising: preparing a diamond single crystal seed substrate which has a main surface whose planar orientation falls within an inclination range of not more than 8 degrees relative to a {100} plane or a {111} plane,
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