[특허]Epitaxial growth of diamond from vapor phase

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-029/04
출원번호	US-0125482 (1993-09-22)
우선권정보	JP-0254376 (1992-09-24); JP-0327090 (1992-12-08); JP-0017399 (1993-02-04); JP-0018790 (1993-02-05); JP-0162085 (1993-06-30)
발명자 / 주소	Tsuno Takashi (Hyogo JPX) Imai Takahiro (Hyogo JPX) Fujimori Naoji (Hyogo JPX)
출원인 / 주소	Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Osaka JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 58 인용 특허 : 0

초록 ▼

A plurality of single-crystalline diamond plates having principal surfaces consisting essentially of {100}planes are prepared. The diamond plates are so arranged that the respective principal surfaces are substantially flush with each other. In this arrangement, an angle formed by crystal orientations of the principal surfaces between adjacent plates is not more than 5°, a clearance between the adjacent plates is not more than 30 mm

대표청구항 ▼

A method of epitaxially growing diamond, comprising: a) preparing a plurality of single-crystalline diamond plates having principal surfaces forming an angle of not more than 10°with a {100}plane, back surfaces opposite said principal surfaces, and side surfaces between said principal surfaces and said back surfaces; b) preparing an alignment plate having a flat surface; c) arranging said diamond plates substantially adjacent one another on said alignment plate so that said principal surfaces are in contact with said flat surface of said alignment plate, wherein adjacent ones of said principal surfaces are no more than a 30 m30 m5°out of angular alignment; d) depositing diamond on said back surfaces of said arranged diamond plates so that said diamond plates are bonded with each other; e) separating said bonded diamond plates from said alignment plate, wherein said principal surfaces that had been in contact with said alignment plate together form a larger substrate surface; and f) epitaxially growing diamond on said larger substrate surface from a vapor phase containing at least carbon and hydrogen, wherein proportions X, Y and Z, as follows: X=([C]/[H])×100% Y=([C]-[O]/[H])×100% Z=([O]/[H])×100% where [C], [O]and [H]represent molar numbers of carbon, oxygen and hydrogen atoms respectively, satisfy the following conditions: 0.5≤X≤2.0 0.3≤Y≤2.0 Z≤1.0 .

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