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[미국특허] Ion implantation having increased source lifetime 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-027/08
  • H05H-001/48
출원번호 US-0105522 (1993-08-11)
발명자 / 주소
  • Bright Nicholas (Saratoga CA) Burfield Paul A. (Crawley GB2) Pontefract John (Uckfield GB2) Harrison Bernard F. (Cothorne GB2) Meares Peter (Holt GB2) Burgin David R. (Grenoble FRX) Devaney Andrew S.
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc. (Santa Clara CA 02)
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 0

초록 ▼

Ion implantation equipment is modified so as to provide filament reflectors to a filament inside of an arc chamber, and to remove the electrical insulators for the filament outside of the arc chamber and providing a means of shielding, thereby reducing the formation of a conductive layer on said ins

대표청구항 ▼

A filament system for emitting electrons in an arc chamber having two ends connected to a source of current outside of said arc chamber, said chamber including walls enclosing a filament for said arc chamber, comprising at least one electron reflector made of a refractory material surrounding said f

이 특허를 인용한 특허 (20)

  1. Lin, Chin-Tsung; Hsieh, Hsiao-Yin; Huang, Chi-Hao; Chou, Hong-Hsing; Wang, Yeh-Chieh, Arc chamber with multiple cathodes for an ion source.
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  2. Lin, Chin-Tsung; Hsieh, Hsiao-Yin; Huang, Chi-Hao; Chou, Hong-Shing; Wang, Yeh-Chieh, Arc chamber with multiple cathodes for an ion source.
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  3. Devaney, Andrew Stephen; Goldberg, Richard David; Burgess, Christopher; Armour, David George; Kirkwood, David, Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source.
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  4. Low, Russell J.; Scheuer, Jay T.; Perel, Alexander S.; Chaney, Craig R.; Bassom, Neil J., Flexible ion source.
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  5. Centurioni, Dominick, Gas distributor for an ion source.
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  6. Maciejowski,Peter E.; Olson,Joseph C.; Chang,Shengwu; Pedersen,Bjorn O.; Klos, Jr.,Leo V.; Distaso,Daniel; Bergeron,Curt D., Indirectly heated cathode ion source.
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  7. Bright Nicholas ; Burfield Paul Anthony,GB2 ; Pontefract John,GB2 ; Harrison Bernard Francis,GB2 ; Meares Peter,GB2 ; Burgin David R.,FRX ; Devaney Andrew Stephen,GB2 ; Kindersley Peter Torin,GB2, Ion implantation apparatus having increased source lifetime.
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  8. Jones, Edward E.; Yedave, Sharad N.; Tang, Ying; Chambers, Barry Lewis; Kaim, Robert; Sweeney, Joseph D.; Byl, Oleg; Zou, Peng, Ion implantation system and method.
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  9. Jones, Edward E.; Yedave, Sharad N.; Tang, Ying; Chambers, Barry Lewis; Kaim, Robert; Sweeney, Joseph D.; Byl, Oleg; Zou, Peng, Ion implantation system and method.
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  10. Vanderberg,Bo H.; Beneviste,Victor M.; Fallon,John F.; Pokidov,Ilya, Ion source.
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  11. Koo, Bon-Woong; Campbell, Christopher R.; Chaney, Craig R.; Lindberg, Robert; Platow, Wilhelm P.; Perel, Alexander S., Ion source and a method for in-situ cleaning thereof.
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  12. Kaim, Robert; Sweeney, Joseph D.; Byl, Oleg; Yedave, Sharad N.; Jones, Edward E.; Zou, Peng; Tang, Ying; Chambers, Barry Lewis; Ray, Richard S., Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same.
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  13. Kaim, Robert; Sweeney, Joseph D.; Byl, Oleg; Yedave, Sharad N.; Jones, Edward E.; Zou, Peng; Tang, Ying; Chambers, Barry Lewis; Ray, Richard S., Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same.
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  14. Smick Theodore H. ; Farley Marvin ; Ryding Geoffrey ; Satoh Shu ; Rose Peter, Movable ion source assembly.
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  15. Hineman,Max F.; Li,Li, Plasma reaction chamber liner consisting essentially of osmium.
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  16. Colvin, Neil; Hsieh, Tseh-Jen, Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system.
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  17. Low,Russell J.; Cobb,Eric R.; Olson,Joseph C.; Klos,Leo V., Source arc chamber for ion implanter having repeller electrode mounted to external insulator.
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  18. Wong Midas (Hsin-Chu TWX), Source filament assembly for an ion implant machine.
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  19. Chaney,Craig R.; Low,Russell J.; England,Jonathan Gerald, Technique for improving ion implanter productivity.
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  20. Burnham Jay ; Linde Harold G. ; Mone ; Jr. Nicholas N. ; Warren Ronald A., Wear-through detector for multilayered parts and methods of using same.
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