[특허]Method for wet etching polysilicon

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Method for wet etching polysilicon 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/469
출원번호	US-0363358 (1994-12-23)
우선권정보	KR-0030469 (1993-12-28)
발명자 / 주소	Woo Sang H. (Kyoungki KRX)
출원인 / 주소	Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. (Kyoungki KRX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method is disclosed for the wet etching of polysilicon, which comprises the steps of: annealing a lamination structure of a doped polysilicon and an undoped polysilicon at a predetermined temperature for a predetermined period; and applying to the annealed lamination structure a chemical etchant comprising nitric acid, fluoric acid, acetic acid and deionized water with the volume ratio of nitric acid to acetic acid to fluoric acid to deionized water being 30:3:x:15+(1-x) wherein x is a real number ranging from 0.2 to 1.0, so as to remove the doped polysilicon film. Instead of fluoric acid, alcohol may be used in the chemical etchant without affecting the etching selectivity. This method is superior in performance with regard to selective etching between the undoped polysilicon and the doped polysilicon. Therefore, the doped polysilicon which is useful in many ways, for example, storage electrode, insertion layer and contact, can be etched in such a thickness as is needed, with the chemical etchant. Consequently, the present method is very useful in developing new semiconductor devices.

대표청구항 ▼

A method for selectively etching a lamination structure of an undoped polysilicon film and a doped polysilicon film comprising the steps of: annealing the lamination structure in a selected temperature for a selected period; and applying to the annealed lamination structure a chemical etchant comprising nitric acid, fluoric acid, acetic acid and deionized water with the volume ratio of nitric acid to acetic acid to fluoric acid to deionized water being 30:3:x:15+(1-x) wherein x is a real number ranging from 0.2 to 1.0, so as to remove the doped polysilicon film.

이 특허를 인용한 특허 (17)

Kapral Ales M., Additive for cosmetics and other topically applied materials.
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Huang, Shuogang, Critical concentration in etching doped poly silicon with HF/HNO3 .
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Mercaldi, Garry A.; Yates, Donald L., Etching compositions.
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Nowling, Gregory; Foster, John, Low temperature etching of silicon nitride structures using phosphoric acid solutions.
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Li Li ; Hawthorne Richard C., Method for controlled selective polysilicon etching.
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Mercaldi Garry A. ; Yates Donald L., Method for etching doped polysilicon with high selectivity to undoped polysilicon.
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Doan Trung T. ; Wu Zhiqiang ; Li Li, Method of forming a local interconnect between electronic devices on a semiconductor substrate.
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Detterbeck, Stefan, Method, apparatus and composition for wet etching.
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Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Tran, Luan C., Methods of forming semiconductor structures.
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Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Tran, Luan C., Methods of forming semiconductor structures.
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Leonard Forbes ; Kie Y. Ahn ; Luan C. Tran, Methods of forming semiconductor structures.
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Peethala, Brown C.; Skordas, Spyridon; Song, Da; Upham, Allan; Winstel, Kevin R., Selective etching of silicon wafer.
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Forbes,Leonard; Ahn,Kie Y.; Tran,Luan C., Semiconductor constructions and transistor gates.
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Yoichiro Nishimoto JP; Satoshi Arimoto JP; Keisuke Namba JP, Solar cell, a method of producing the same and a semiconductor producing apparatus.
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Lee, Seung Jin; Yeo, Hee Soo, Textured silicon substrate and method.
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Nowling, Gregory; Fitzsimmons, John, Wet etching of silicon containing antireflective coatings.
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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
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A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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