[특허]Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus

Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/233
출원번호	US-0479317 (1995-06-07)
발명자 / 주소	Moslehi Mehrdad M. (Los Altos CA)
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

A direct doping method for semiconductor wafers, comprising the steps of providing a semiconductor wafer, exposing the surface of the wafer to a process medium in order to directly dope at least a portion of the surface of the wafer, wherein the process medium comprises a dopant gas, and wherein the dopant gas comprises an organic compound of a dopant species, and heating the wafer, thermally activating the direct doping process and causing solid-state diffusion of the dopant species into the semiconductor wafer surface. The organic source of a dopant species includes the organic compounds comprising boron, arsenic and phosphorous. The wafer is heated in the presence of an organic dopant source, thermally activating the doping process and causing surface chemisorption, surface dissociation, and solid-state diffusion of the dopant species into the wafer surface. The organic dopant source can be used with a germanium-containing additive gas, a halogen-containing compound or a remote plasma energy source.

대표청구항 ▼

A direct doping method for semiconductor wafers, comprising the steps of: providing a semiconductor wafer having a surface; exposing said surface of said wafer to a non-ionized process medium in order to directly dope at least a portion of said surface of said wafer, wherein said process medium comprises a dopant gas, and wherein said dopant gas comprises an organic compound of a dopant species, wherein said organic compound is a material selected from the group consisting of (CF3)2PCl, (CF3)2PCN, (CF3)2PI, CF3PCl2, (C2H5)2PH, (CH3)2PH, C2H5PH2, and CH3PH2; and heating said wafer, thermally activating said doping method and causing solid state diffusion of said dopant species into said semiconductor wafer surface in order to dope at least portions of said surface of said semiconductor wafer with n type doping, wherein said dopant species is phosphorus and wherein said doping is performed without the presence of plasma.

이 특허를 인용한 특허 (19)

Lee, Brian S., Advanced contact integration scheme for deep-sub-150 nm devices.
상세보기
Henley Francois J. ; Cheung Nathan, Cluster tool apparatus using plasma immersion ion implantation.
상세보기
Henley Francois J. ; Cheung Nathan, Cluster tool method using plasma immersion ion implantation.
상세보기
Henley Francois J. ; Cheung Nathan, Clustertool system software using plasma immersion ion implantation.
상세보기
Liu, Yaocheng; Reznicek, Alexander; Sadana, Devendra K., Control of poly-Si depletion in CMOS via gas phase doping.
상세보기
Liu,Yaocheng; Reznicek,Alexander; Sadana,Devendra K., Control of poly-Si depletion in CMOS via gas phase doping.
상세보기
Chu Paul K.,HKX ; Liu A. G.,CNX, Distributed system and code for control and automation of plasma immersion ion implanter.
상세보기
Horzel Jorg,BEX ; Szlufcik Jozef,BEX ; Nijs Johan,BEX, Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources.
상세보기
Chan Chung, Method for non mass selected ion implant profile control.
상세보기
Chan, Chung, Method for non mass selected ion implant profile control.
상세보기
Murakami Takashi,JPX, Method for producing a semiconductor device and a semiconductor device.
상세보기
Derderian Garo J., Method of forming tungsten nitride comprising layers using NF.sub.3 as a nitrogen source gas.
상세보기
Mohamed el-Hamdi ; Sam E. Sawaya ; Scott Balfour ; Louay M. Semaan, Methods of fabricating a memory device.
상세보기
el-Hamdi, Mohamed; Phan, Tony T.; Hendrix, Luther; Moore, Bradley T., Methods to improve density and uniformity of hemispherical grain silicon layers.
상세보기
Chu Paul K.,HKX ; Chan Chung, Removable liner design for plasma immersion ion implantation.
상세보기
Iku Shiota JP, Semiconductor substrate and production method thereof.
상세보기
Shiota Iku,JPX, Semiconductor substrate and production method thereof.
상세보기
Benveniste, Victor; Koo, Bon-Woong; Patel, Shardul; Sinclair, Frank, Temperature controlled ion source.
상세보기
Benveniste, Victor; Koo, Bon-Woong; Patel, Shardul; Sinclair, Frank, Temperature controlled ion source.
상세보기

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

이 특허를 인용한 특허 (19)

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

이 특허를 인용한 특허 (19)

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트