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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0567678 (1995-12-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 4 |
The incorporation of a pseudomorphic GaAsSb layer in a runnel diode structure affords a new degree of freedom in designing runnel junctions for p-n junction device interconnects. Previously only doping levels could be varied to control the tunneling properties. This invention uses the valence band a
A tunnel junction semiconductor device consisting of: a first layer of p-doped first semiconductor material, said material being either a group III-V or group II-VI alloy; a second layer of n-doped second semiconductor alloy; and a thin enhancement layer of p-doped third semiconductor alloy adjacent
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