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[미국특허] Adhesion layer for tungsten deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/34
출원번호 US-0482682 (1995-06-07)
발명자 / 주소
  • Raaijmakers Ivo
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소
    Morris
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 6

초록 ▼

A method of removing free titanium from the edge of a substrate having a layer of titanium and a layer of titanium nitride thereover by forming a plasma of a nitrogen-containing gas. The plasma reacts with exposed free titanium to form titanium nitride therefrom. Preferably the dual Ti/TiN depositio

대표청구항 ▼

[ I claim:] [1.] A method of eliminating free exposed titanium from an edge of a substrate having sequentially sputtered layers of titanium and titanium nitride thereon, wherein a portion of said substrate was masked by a clamping ring during sputter deposition so that free titanium remains, compris

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Shibagaki Masahiro (Hiratsuka JP) Horiike Yasuhiro (Tokyo JP) Yamazaki Takashi (Yokohama JP), Gas etching method and apparatus.
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  2. Keeble Frank (Littleton-upon-Severn GB3), Ion etching and chemical vapour deposition.
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  3. Mueller Mark A. (San Jose CA) Guo Xin (Mountain View CA) Egermeier John C. (Santa Clara CA), Method for in-situ cleaning a Ti target in a Ti +TiN coating process.
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  4. Talieh Humoyoun (Santa Clara) Gilboa Haim (Palo Alto) Mintz Donald M. (Sunnyvale CA), Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber.
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  5. Kobayashi Masahiko (Tokyo JPX) Takahashi Nobuyuki (Tokyo JPX), Method for successive formation of thin films.
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  6. Sekiguchi Atsushi (Fuchu JPX) Mito Hideo (Fuchu JPX), Surface processing apparatus utilizing local thermal equilibrium plasma and method of using same.
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이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Fu-Kang Tien,TWX ; Hung-Yeh Li,TWX, Apparatus and method for shielding a wafer holder.
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  2. White, John M.; Le, Hien Minh H.; Hosokawa, Akihiro, Apparatus and method of positioning a multizone magnetron assembly.
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  3. Yamaguchi Yoshihiro,JPX, Continuous forming method for TI/TIN film.
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  4. Pandumsoporn Tamarak ; Feldman Mark, Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films.
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  5. Yang Yun-Yen Jack ; Chen Ching-Hwa ; Chen Yea-Jer Arthur, Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor.
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  6. Narwankar, Pravin; Sahin, Turgut, Method and apparatus for integrating a metal nitride film in a semiconductor device.
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  7. Pravin Narwankar ; Turgut Sahin, Method and apparatus for integrating a metal nitride film in a semiconductor device.
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  8. Katz, Anne T., Reducing layer separation and cracking in semiconductor devices.
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  9. Ye, Yan; White, John M., Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers.
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