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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0626340 (1996-04-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 4 |
A method of increasing the performance of an FET device by aligning the channel of the FET with the [110] crystal direction of a {100} silicon wafer. The {100} silicon wafer and the image of a lithographic mask are rotated 45 cc.degree. relative to each other so that, instead of the channel being al
[ Having thus described the invention, what is claimed is:] [1.] In an integrated circuit with at least one field effect transistor (FET) having a source, drain and gate with the source and drain separated by a channel under the gate, comprising:a {100} monocrystalline silicon substrate having (100)
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