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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0918566 (1997-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 100 인용 특허 : 30 |
The present invention is an isolation trench with an insulator, and a method of forming the same using self-aligned processing techniques. The method is implemented with a single mask. A shallow trench is first formed with the mask. Subsequently, the deep trench is formed in self-alignment to the sh
[ I claim:] [1.] A method of fabricating an isolation region in an integrated circuit, the method comprising:forming a first layer of nitride on a base layer of the integrated circuit;patterning an area of the base layer to define an outline of the isolation region;forming a shallow trench in the pa
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