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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0821159 (1997-03-20) |
우선권정보 | SE-0000156 (1997-01-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 90 인용 특허 : 8 |
A semiconductor diode structure with a Schottky junction, wherein a metal contact and a silicon carbide semiconductor layer of a first conducting type form the junction and wherein the edge of the junction exhibits a junction termination divided into a transition belt (TB) having gradually increasin
[ We claim:] [1.] A semiconductor device comprising a first conducting type layer and a metal contact layer forming a Schottky junction, the first conducting type later being made of silicon carbide (SiC), and wherein said junction is provided with an edge termination comprising a transition belt (T
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