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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0589776 (1996-01-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 18 |
An ammonia-based etchant is employed, in dilute aqueous solution and preferably with a moderating agent, to etch polysilicon. Ammonium fluoride and ammonium hydroxide are the preferred etchants, with acetic acid and isopropyl alcohol the preferred moderating agents for use with the respective etchan
[ What is claimed and desired to be secured by United States Letters Patent is:] [1.] A method for etching polysilicon during the fabrication of a semiconductor device, said method comprising etching a polysilicon film in a wet etch solution comprising a dilute solution of ammonium fluoride etchant,
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