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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0037522 (1998-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 26 |
Highly purified ammonia for use in semiconductor manufacturing is prepared on-site by drawing ammonia vapor from a liquid ammonia reservoir, passing the vapor through a filter capable of filtering out particles of less than 0.005 micron in size, and scrubbing the filtered vapor in a high-pH aqueous
[ What is claimed is:] [1.] A method for the preparation of ultra-high-purity ammonia, said method comprising:(a) drawing ammonia gas from a vapor space above liquid ammonia in an ammonia-containing reservoir;(b) passing said ammonia gas through a unit whereby said ammonia gas is contacted with an a
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