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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0145785 (1998-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 6 |
A method for making a ULSI MOSFET chip includes forming the gate of a transistor on a silicon substrate, covering the gate with a SiON protective layer, and then implanting a pre-amorphization high dose Si or Ge implant into the substrate. Next, dopant is pre-implanted into the substrate to promote
[ What is claimed is:] [1.]1. A semiconductor device including at least one transistor including a gate disposed on a silicon substrate and elevated source and drain regions on the substrate next to the gate, the source and drain regions including at least polysilicon and/or polygermanium, wherein t
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