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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0942208 (2001-08-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 131 인용 특허 : 10 |
A process for forming a metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure includes forming a recess in the dielectric layer (20) of a semiconductor substrate (10). A first capacitor electrode (30, 40) is formed in the recess having a copper first metal layer (30) with a conductive oxidation barrier (4
1. A process for forming a metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure comprising:providing a semiconductor substrate; forming a dielectric layer over the semiconductor substrate; forming a recess in the dielectric layer; forming a first metal layer in the recess, the first metal layer comprisin
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