초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리금속을 배선재료로 사용하는 다층 금속 배선 공정에서 상부 금속과 하부 금속으로 커패시터를 제작하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것이다.상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법은 하부 금속 배선이 형성된 반도체 기판 상에 확산방지막, 4000 ~ 6000Å 두께의 제1절연막을 순차로 증착시키는 제1 단계; 하부 도전층, 유전막, 상부 도전층, 그리고 식각 정지막을 순차로 증착하는

본 발명은 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리금속을 배선재료로 사용하는 다층 금속 배선 공정에서 상부 금속과 하부 금속으로 커패시터를 제작하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것이다.상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법은 하부 금속 배선이 형성된 반도체 기판 상에 확산방지막, 4000 ~ 6000Å 두께의 제1절연막을 순차로 증착시키는 제1 단계; 하부 도전층, 유전막, 상부 도전층, 그리고 식각 정지막을 순차로 증착하는 제2 단계; 상기 식각 정지막과 상기 상부 도전층을 패터닝하여 상부 금속전극을 형성하는 제3 단계; 상기 유전막과 상기 하부 도전층을 패터닝하여 하부 금속전극을 형성하는 제4 단계; 제2 절연막을 증착하고 평탄화하는 제5 단계; 비아콘택홀을 패터닝하는 제6 단계; 트랜치 패턴 및 전극 비아콘택홀을 패터닝하는 제7 단계; 그리고 배리어 메탈 및 구리 시드막 증착한 후 전기화학적 도금 공정과 화학적기계적 연마 공정을 진행하여 금속 배선을 형성하는 제8 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 의하면 MIM 커패시터의 하부 구조에 더미 메탈 패턴을 형성함으로써 하부 금속 배선의 구리 CMP 공정에서 발생하는 디싱현상을 줄일 수 있고, 전극 비아콘택홀 형성과 트랜치 형성을 동시에 패터닝 함으로써 공정단계를 단순화하여 생산성 향상과 수율을 증대할 수 있는 효과가 있다.

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