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Lightly doped drain MOS transistor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021336
출원번호 US-0270866 (2002-10-15)
발명자 / 주소
  • Honeycutt, Jeffrey W.
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Fletcher Yoder
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 10

초록

A method of forming a MOS transistor in an upper surface of a semiconductor substrate. A gate oxide layer covers the upper surface of the substrate. A gate stack comprising one or more thin film layers covers the gate oxide layer. A gate electrode pattern is partially etched into the gate stack, the

대표청구항

1. A method for fabricating a field effect transistor comprising the steps of:providing a semiconductor substrate; forming a gate insulator layer covering the substrate; forming a first conductive layer on the gate insulator layer; forming an etch stop layer on the upper surface of the first conduct

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Chien Sun-Chieh (Hsin-Chu TWX) Wu Tzong-Shien (Hsin-Chu TWX), Blanket N-LDD implantation for sub-micron MOS device manufacturing.
  2. Poon Stephen S. (Austin TX) Pfiester James R. (Austin TX) Baker Frank K. (Austin TX) Klein Jeffrey L. (Austin TX), LDD transistor process having doping sensitive endpoint etching.
  3. Byun Jeong Soo,KRX ; Lee Byung Hak,KRX, Method for fabricating semiconductor device.
  4. Wu Shye-Lin (Hsinchu TWX), Method for forming inverse-T gate lightly-doped drain (ITLDD) device.
  5. Dennison Charles H. (Boise ID) Walker Michael A. (Boise ID), Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing.
  6. Bollag Werner (Basel NJ CHX) Grippo Joseph F. (Basking Ridge NJ) Levin Arthur (Glen Ridge NJ), Prevention and treatment of premalignant epithelial lesions and malignant tumors of epithelial origin.
  7. Hu Yaw W. (Cupertino CA) Kau Charles C. C. (San Jose CA), Process for fabricating lightly doped drain MOS devices.
  8. Ma Di (Syosset NY) Hoffman David H. (Hauppauge NY), Process for fabricating self-aligned silicide lightly doped drain MOS devices.
  9. Barnes Michael S. (Mahopac NY) Chow Melanie M. (Poughkeepsie NY) Forster John C. (Poughkeepsie NY) Fury Michael A. (Fishkill NY) Kin Chang-Ching (Poughkeepsie NY) Jones Harris C. (Stormville NY) Kell, Selective fluorocarbon-based RIE process utilizing a nitrogen additive.
  10. Lowrey Tyler A. (Boise ID) Chance Randal W. (Boise ID) Parkinson Ward D. (Boise ID), Split-polysilicon CMOS process incorporating unmasked punchthrough and source/drain implants.

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. Ge, Ning; Chia, Leong Yap; Rando, Jose Jehrome, EPROM cell with modified floating gate.
  2. Honeycutt,Jeffrey W., Lightly doped drain MOS transistor.
  3. Ge, Ning; Chia, Leong Yap; Lee, Pin Chin; Rando, Jose Jehrome, Semiconductor device and method of making same.
  4. Ge, Ning; Chia, Leong Yap; Lee, Pin Chin; Rando, Jose Jehrome, Semiconductor device comprising a gate formed from a gate ring.
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