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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0684727 (2003-10-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 5 |
The mobility enhancement of a strained silicon layer is augmented through incorporation of carbon into a strained silicon lattice to which strain is also imparted by an underlying silicon germanium layer. The presence of the relatively small carbon atoms effectively increases the spacing within the
1. A method of fabricating a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), comprising:providing a substrate comprising a layer of strained silicon grown on a layer of silicon germanium, and shallow trench isolations defining active regions of the substrate for formation of respective M
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