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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0663805 (2003-09-17) |
등록번호 | US-7259103 (2007-08-21) |
우선권정보 | KR-10-2003-0035577(2003-06-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 4 |
A method of fabricating polycrystalline silicon thin film transistor according to the present invention includes: depositing a buffer layer on a substrate; depositing an amorphous silicon layer on the buffer layer with a predetermined thickness; crystallizing the deposited amorphous silicon layer by
What is claimed is: 1. A method of fabricating an active layer of a polycrystalline silicon thin film transistor, the method comprising: depositing a buffer layer on a substrate; depositing an amorphous silicon layer on the buffer layer with a first thickness; crystallizing the deposited amorphous
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