[특허]Method for forming polycrystalline silicon from the crystallization of microcrystalline silicon

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/02
출원번호	US-0812580 (1997-03-07)
발명자 / 주소	Voutsas Tolis
출원인 / 주소	Sharp Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Maliszewski
인용정보	피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method is provided of fabricating a thin film transistor semiconductor film of polycrystalline silicon on a transparent substrate suitable for the manufacture of a liquid crystal display. A film of substantially amorphous silicon is placed on the transparent substrate. Suspended in the amorphous silicon are small silicon seed crystals. As the amorphous silicon is annealed, crystal grains, begun from the seed crystals, are formed in the resulting polycrystalline silicon. The seed crystals help regulate the annealment process, and reduce process dependence on precision deposition and heating methods. The use of seed crystals also helps ensure that crystal grains are both large and consistent in size. Large grains promote to production of TFTs with high electron mobility and uniform performance across the entire LCD.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] In forming a polycrystalline film from a microcrystalline film, a method comprising the steps of:a) depositing a microcrystalline film including the following:i) amorphous matter having a thickness of less than approximately 500 .ANG.; andii) microcrystallites embedded in the amorphous matter, wherein the microcrystallites are crystals of the same material as the amorphous matter, the microcrystallites having a size generally in the range between 50 .ANG. and 500 .ANG., and a microcrystallite density generally less than 10.sup.-8 cm.sup.-2 ; andb) annealing the film deposited in step a) to, at least partially, form a polycrystalline film, whereby the inclusion of embedded seed crystals in the amorphous matter encourages uniform crystal grains having a relatively large size.

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