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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0301510 (2005-12-13) |
등록번호 | US-7358588 (2008-04-15) |
우선권정보 | KR-10-2004-0105646(2004-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 1 |
A trench isolation type semiconductor device in which a recess is prevented from being formed in a field region and a method of fabricating the same are provided. The trench isolation type semiconductor device includes a semiconductor substrate defined by an active region and a field region, a trenc
What is claimed is: 1. A trench isolation type semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate defined by an active region and a field region; a trench formed in the field region; an oxide layer conformally formed along the inside of the trench; a liner layer conformally formed along th
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