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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0549919 (2006-10-16) |
등록번호 | US-7674727 (2010-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 112 |
A method of filling a gap defined by adjacent raised features on a substrate includes providing a flow of a silicon-containing processing gas to a chamber housing the substrate and providing a flow of an oxidizing gas to the chamber. The method also includes varying over time a ratio of the (silicon
What is claimed is: 1. A method of forming a silicon oxide layer on a substrate, comprising: providing a flow of tetraethylorthosilicate (TEOS) to a chamber housing the substrate; providing a flow of ozone to the chamber; causing a reaction between the tetraethylorthosilicate and the ozone to form
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