[특허]Sputter targets and methods of manufacturing same to reduce particulate emission during sputtering

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B22D-001/00
출원번호	UP-0315205 (2008-12-01)
등록번호	US-7712514 (2010-06-03)
발명자 / 주소	Wickersham, Jr., Charles E. Poole, John E. Leybovich, Alexander Zhu, Lin
출원인 / 주소	Tosoh SMD, Inc.
대리인 / 주소	Wegman, Hessler & Vanderburg
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 25

초록 ▼

Methods for reducing inclusion content of sputter targets and targets so produced are disclosed. Inclusions may be reduced by adding a small amount of Si to the molten Al or molten Al alloy followed by filtering of the molten metals through a filter medium. Targets having substantially no inclusions therein of greater than about 400 μm are especially useful in the sputtering of large flat panel displays and result, upon sputtering, in a reduction in the amount of macroparticles sputtered onto the substrate.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A method of making an aluminum or aluminum alloy sputter target adapted for sputtering of a flat panel display comprising: (a) determining a power density at which said flat panel display will be sputtered; (b) correlating said determined power density from said step (a) to a threshold value for deleterious sputter target inclusion sizes; (c) providing molten Al or Al alloy; (d) adding to said molten Al or Al alloy an amount of between about 0.01-2.00 wt % Si and from about 0.01-3.00 wt % Cu to form a molten alloy mixture; (e) forwarding said molten alloy mixture through a filter and choosing a filter grit size of between about 2 to about 14 to filter from said molten alloy inclusions having sizes greater to or equal to said threshold value; and (f) allowing said filtered alloy to solidify and forming said target; whereby said target is substantially free of inclusions having sizes greater to or equal to said threshold value. 2. A method as recited in claim 1 wherein said power density at which said flat panel display will be sputtered is determined to be about 25 W/cm2 and said correlated threshold value is about 400 μm; said method further comprising choosing a filter grit size of about 8. 3. A method as recited in claim 2 wherein said power density at which said flat panel display will be sputtered is determined to be 40 W/cm2 or greater and said correlated threshold value is 300 μm. 4. A method as recited in claim 1 wherein said filter element is a ceramic filter. 5. A method as recited in claim 1 wherein said molten alloy mixture is Al 0.5 Cu 0.5 Si.

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