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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0985975 (2007-11-19) |
등록번호 | US-7796425 (2010-10-04) |
우선권정보 | KR-2004-32501(2004-05-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 6 |
A driver circuit for a PRAM (phase-change random access memory) device includes a write driver that generates a set/reset current in response to a set/reset pulse. In addition, a temperature compensator controls a pulse width of the set/reset pulse in response to a peripheral temperature of the PRAM
What is claimed is: 1. A PRAM (phase-change random access memory) comprising: a write driver that generates a set current or a reset current in response to a set pulse or a reset pulse; a temperature compensator that controls a pulse width of the set pulse or the reset pulse in response to a temper
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