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Control of set/reset pulse in response to peripheral temperature in PRAM device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-011/00
  • G11C-007/04
  • G11C-011/4193
  • G11C-011/4197
출원번호 UP-0985975 (2007-11-19)
등록번호 US-7796425 (2010-10-04)
우선권정보 KR-2004-32501(2004-05-08)
발명자 / 주소
  • Choi, Byung-Gil
  • Kwak, Choong-Keun
  • Cho, Woo-Yeong
출원인 / 주소
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Choi, Monica H.
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 6

초록

A driver circuit for a PRAM (phase-change random access memory) device includes a write driver that generates a set/reset current in response to a set/reset pulse. In addition, a temperature compensator controls a pulse width of the set/reset pulse in response to a peripheral temperature of the PRAM

대표청구항

What is claimed is: 1. A PRAM (phase-change random access memory) comprising: a write driver that generates a set current or a reset current in response to a set pulse or a reset pulse; a temperature compensator that controls a pulse width of the set pulse or the reset pulse in response to a temper

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Choi,Byung Gil; Kwak,Choong Keun; Cho,Woo Yeong, Control of set/reset pulse in response to peripheral temperature in PRAM device.
  2. Happ,Thomas; Shoaib,Zaidi, Energy adjusted write pulses in phase-change memories.
  3. Scheuerlein, Roy E., Memory device and method for temperature-based control over write and/or read operations.
  4. Cho, Baek-Hyung; Cho, Woo-Yeong; Oh, Hyung-Rok; Choi, Byung-Gil, Programming method of controlling the amount of write current applied to phase change memory device and write driver circuit therefor.
  5. Miura Manabu,JPX ; Hatakenaka Makoto,JPX, Variable delay circuit for varying delay time and pulse width.
  6. Milshtein Mark S. ; Fletcher Thomas D. ; Dai Kevin (Xia) ; Chappell Terry I. ; Sprague Milo D., Variable width pulse generator.

이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Lee, Sung Yeon; Lee, Hyun Joo, Memory apparatus having storage medium dependent on temperature and method for driving the same.
  2. Chu, Daniel J., Phase change memory mask.
  3. Chu, Daniel J., Phase change memory with mask receiver.
  4. Chu, Daniel J., Phase change memory with mask receiver.
  5. Lee, Yong-kyu; Lee, Yeong-taek; Byeon, Dae-seok; Baek, In-gyu; Chang, Man; Zhang, Lijie, Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof.
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