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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0536551 (2009-08-06) |
등록번호 | US8043944 (2011-10-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
Processes for enhancing solubility and the reaction rates in supercritical fluids are provided. In preferred embodiments, such processes provide for the uniform and precise deposition of metal-containing films on semiconductor substrates as well as the uniform and precise removal of materials from s
What is claimed is: 1. A method for enhancing the rate of deposition at the surface of a semiconductor substrate comprising, providing a supercritical fluid containing at least one reactant, said supercritical fluid being maintained at above its critical point, exposing at least a portion of said su
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