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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0070616 (2008-02-19) |
등록번호 | US-8192806 (2012-06-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 5 |
A plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process including plasma particle extraction is described. Charged particles suspended in discharge volume are moved together with a plasma and can then be flushed away. The particle extraction process reduces unwanted particles on the wafer after
1. A method of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), the method comprising: providing a wafer in a process chamber, said chamber comprising first and second electrodes above and below the wafer, and a third electrode disposed outside of a cylindrical space between a showerhead and a waf
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