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전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.26 no.2, 2013년, pp.32 - 39
김성근 (KIST 전자재료연구센터)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| DRAM 셀의 구성은 어떻게 되는가? | DRAM 셀은 트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 구성되며, 이외에도 셀을 구동하기 위한 센싱 앰플리파이어, 디코더, 인코더 등등이 Periphery 영역에 존재한다. DRAM 셀 내에서 트랜지스터는 DRAM cell의 어레이에서 특정 셀을 읽거나 쓸 수 있도록 선택하는 역할을 하며 커패시터는 전하를 저장하여 '0'과 '1'의 데이터를 기록하는 역할을 한다. | |
| 컴퓨터의 동작 동안 하드디스크 이외의 다른 메모리가 필요한 이유는? | 현대의 컴퓨터에서 정보의 저장은 하드 디스크에서 주로 이루어지고 있으며, 최근에 들어서는 플래시 메모리를 이용한 SSD (Solid State Drive)가 새롭게 각광받고 있다. 그러나 이러한 저장매체, 특히 하드 디스크는 마그네틱 디스크의 기계적인 움직임을 기반으로 정보를 읽고 쓰기 때문에 제한된 Data access time을 가져, 중앙처리장치의 빠른 속도를 처리하지 못하고 하드 디스크에서 병목 현상이 발생하는 문제가 발생한다. 따라서 컴퓨터의 동작 동안 빠른 속도로 정보를 처리할 수 있도록 하드 디스크 이외의 다른 메모리가 필요하다. | |
| 절연체 및 전극 물질의 증착방법에는 어떠한 것들이 있는가? | 특히, 절연체 박막의 두께가 균일하지 않는 경우, 얇은 부분에서의 전기장의 증가로 누설전류가 증가하는 문제가 발생하게 된다. 절연체 및 전극 물질의 증착 방법에는 스퍼터링 및 Evaporation 등의 PVD (Physical vapor deposition) 또는 기상의 반응 원료의 화학 반응을 이용한 CVD (Chemical vapor deposition) 등이 있으나 이러한 방법들 모두 실린더 또는 박스 형태의 커패시터 구조에 균일한 박막을 형성하는 것이 어렵다. |
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